而在这一进程中，光刻胶的角色变得尤为重要。作为光刻过程中的关键材料，光刻胶不仅需要具备传统光刻技术所需的特性，如分辨率和精度，同时还需要满足极紫外光刻技术对耐辐射性的更高要求。因此，
在大规模集成电路的制造过程中，光刻和刻蚀技术决定着芯片的最小特征尺寸和性能。半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以提高极限分辨率，从而得到更佳的线路图案精密度。世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步至g线、i线，以及最先进的EUV线水平。
注：Resolution为分辨率，代表投影最小图像的能力;k1为工艺相关参数;为曝光机所用的光源波长，NA为数值孔径。
EUV光刻过程中将浸入式193nm光刻中193nm波长的短波紫外线nm的光，在光刻精密图案方面自然更具优势，能够减少工艺步骤，提升良率，但实现难度非常大。荷兰ASML公司是全球目前唯一能提供EUV光刻机的企业，其EUV极紫光刻机用于生产5nm芯片，垄断全球高端光刻机的供应。国产厂商中，上海微电子官方公告将在2021-2022年交付第一台28nm制程工艺中国沉浸式光刻机，上海微电子与ASML在光刻机领域的差距客观反映中国和西方在精密制造领域差距，超高端光刻机关键零部件来自不同西方发达国家，来自美国光源，德国镜头和法国阀件等，所有核心零部件皆对中国禁运，中国大学研究机构在半导体领域也相对偏薄弱，无法提供有效技术支持，致使中国光刻机技术处在弱势地位。
光刻胶技术壁垒较高且其功能性和产品质量直接影响电子元器件、部件的功能和稳定性，一旦出现质量问题会给下游客户带来不可估量的严重损失，下游客户对光刻胶专用化学品供应商的选择非常谨慎，通常采用认证采购的模式，认证所需时间周期较长。
由于光刻胶产品的功能及质量将直接影响电子元器件、部件的功能和稳定性，下游客户对光刻胶专用化学品供应商的选择非常谨慎，通常采用认证采购的模式，认证所需时间周期较长。一般来说，面板光刻胶的验证周期为1-2年，半导体光刻胶的验证周期为2-3年，同时因为半导体光刻胶的种类多，各个客户的测试要求和流程也有不同，因此，送测验证的时间不确定性很高。
从目前本土光刻胶企业的产能情况来看，截至2021年上半年末，可量产i/g line胶的企业包括北京科华、晶瑞电材;可量产KrF的企业有北京科华;而其余产品目前基本无可量产的企业：
更多本行业研究分析详见前瞻产业研究院《中国半导体光刻胶行业发展前景预测与投资战略规划分析报告》
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