2021 年 6 月 16 日，加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料公司推出了一种全新的先进逻辑芯片布线纳米及以下技术节点。
应用材料公司全新的Endura® Copper Barrier Seed IMS™解决方案在高真空条件下将七种不同工艺技术集成到了一个系统中，从而使芯片性能和功耗得到改善。
虽然晶体管尺寸缩小能够使其性能提升，但这对互连布线中的影响却恰恰相反：互连线越细，电阻越大，导致性能降低和功耗增加。从7纳米节点到3纳米节点，如果没有材料工程技术上的突破，互连通孔电阻将增加10倍，抵消了晶体管缩小的优势。
应用材料公司开发了一种名为Endura® Copper Barrier Seed IMS™的全新材料工程解决方案。这个整合材料解决方案在高真空条件下将ALD、PVD、CVD、铜回流、表面处理、界面工程和计量这七种不同的工艺技术集成到一个系统中。其中，ALD选择性沉积取代了ALD共形沉积，省去了原先的通孔界面处高电阻阻挡层。解决方案中还采用了铜回流技术，可在窄间隙中实现无空洞的间隙填充。通过这一解决方案，通孔接触界面的电阻降低了50%，芯片性能和功率得以改善，逻辑微缩也得以继续至3 纳米及以下节点。点击链接查看工艺步骤动画演示：。
应用材料公司高级副总裁、半导体产品事业部总经理珀拉布∙拉贾表示：“每个智能手机芯片中有上百亿条铜互连线，光是布线的耗电量就占到整个芯片的三分之一。在真空条件下整合多种工艺技术使我们能够重新设计材料和结构，从而让消费者拥有功能更强大和续航时间更长的设备。这种独特的整合解决方案旨在帮助客户改善性能、功率和面积成本。”
Endura Copper Barrier Seed IMS系统现已被客户运用在全球领先的逻辑节点代工厂生产中。有关该系统和逻辑微缩创新的更多信息已在美国时间6月16日举行的应用材料公司 2021逻辑大师课上进行了讨论。
应用材料公司（纳斯达克：AMAT）是材料工程解决方案的领导者，全球几乎每一个新生产的芯片和先进显示器的背后都有应用材料公司的身影。凭借在规模生产的条件下可以在原子级层面改变材料的技术，我们助力客户实现可能。应用材料公司坚信，我们的创新实现更美好的未来。
布线日，加利福尼亚州圣克拉拉——应用材料公司宣布推出一种全新系统，可改进晶体管布线沉积工艺，从而大幅降低电阻，突破了芯片在性能提升和功率降低两方面所面临的重大瓶颈。 Endura® Ioniq™ PVD系统是应用材料公司在解决二维微缩布线电阻难题方面所取得的最新突破。Ioniq系统是一种集成材料解决方案™（IMS™），可将表面制备、PVD和CVD工艺同时集中到同一个高真空系统中 芯片制造商正在利用光刻领域的先进技术将 芯片制程缩小至3纳米及以下节点 。但随着互连线变细，电阻呈现指数级上升，这不仅降低了芯片性能，还增大了功耗。如果该问题无法得到解决，更为先进的晶体管带来的益处将被指数级上升的布线电阻完全抵消
电阻难题 /
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