与传统的存储技术相比，FRAM在需要非易失性、高速读写、低功耗、高读写耐久等综合性能的应用领域表现出众、口碑良好。
FRAM应用于RFID中的数据存储有以下几个特点，一是耐辐射性，在强辐射下数据仍然可以安全存储；二是低功耗和外部元器件供电，在不稳定电源或者无源状态下，仍然可以实现高可靠的读写应用；三是快速读写能力，可提高标签的读写吞吐量从而提高效率。还有，大容量可以满足大量数据的存储需求，同等的读写距离更具应用优势。
RFID技术识别相比传统智能芯片更精确，识别的距离更灵活，可以做到穿透性和无屏障阅读。RFID芯片标签需要重复地新增、修改、删除内部储存的数据，方便信息的更新，内部数据内容经由密码保护，使其内容不易被伪造，而且数据容量很大，PB85RS2MC的容量为2M bit，完全满足RFID系统的存储条件，PB85RS2MC最高读写次数100万次，写入次数寿命高达10万亿次，且掉电不会出现数据丢失的情况。
